信息摘要：
概念: 電力電子器件，又稱電力半導體器件，主要應用于電力設備的功率轉換和控制電路中(通常指電流在幾萬到幾萬a，電壓在幾百伏特以上)。 設備開發(fā): 電源器件幾乎應用于所有電子...
概念:
電力電子器件，又稱電力半導體器件，主要應用于電力設備的功率轉換和控制電路中(通常指電流在幾萬到幾萬a，電壓在幾百伏特以上)。
設備開發(fā):
電源器件幾乎應用于所有電子制造行業(yè)，包括筆記本、PC、服務器、顯示器和計算機領域的各種外設;網絡通信領域的手機、電話機等終端及辦公設備;傳統的黑白家用電器和消費電子領域的各種數碼產品;工業(yè)PC、工業(yè)控制類的各種儀器和控制設備。
電源裝置在保證這些裝置正常運行的同時，也能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產品需求的不斷增加和能源效率的要求，中國的電力設備市場保持了快速的發(fā)展速度。
分類:
根據控制電路信號對電力電子設備的控制程度:
1. 半控制器件，如晶閘管;
2. 全控制器件，如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控裝置，如功率二極管。
根據驅動電路在控制端與電力電子設備公用端之間所加信號的性質，將信號分為以下幾種:
1. 電壓驅動器件，如IGBT、功率MOSFET、Sith(靜電感應晶閘管);
2. 電流驅動裝置，如晶閘管，GTO, GTR。
根據電力電子設備控制端與共用端之間的有效信號波形，驅動電路可分為以下幾種
1. 脈沖觸發(fā)，如晶閘管和GTO;
2. 電子控制類型，如GTR, powermosfet, IGBT。
根據電力電子器件中電子和空穴參與導電的情況進行分類
1. 雙極器件，如功率二極管、晶閘管、GTO和GTR;
2. 單極器件，如功率mosfet、sit、肖特基勢壘二極管;
3.復合器件，如MCT (MOS控制晶閘管)、IGBT、Sith和IGCT。
設備的優(yōu)點和缺點:
功率二極管:結構原理簡單，工作可靠;
晶閘管:所有器件的耐壓和電流容量高
IGBT:開關速度快，開關損耗小，能承受脈沖電流沖擊，通態(tài)壓降低，輸入阻抗高，電壓驅動，低驅動功率;缺點:開關速度低于功率MOSFET，電壓電流容量小于GTO
GTR:耐壓高、電流大、開關特性好、載流能力強、飽和電壓低;缺點:開關速度低、電流驅動、驅動功率大、驅動電路復雜、二次擊穿
GTO:電壓電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效果，電流容量大;缺點:電流關斷增益很小，門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低
功率MOSFET:開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高，無二次擊穿問題;缺點:電流容量小，耐壓能力低，一般適用于功率小于10kW的電力電子設備。
限制條件:耐壓、電流容量、開關速度
