信息摘要：
在電子元器件中，功率半導(dǎo)體主要用作開關(guān)和整流器。它們也是半導(dǎo)體材料，如硅、砷化鎵和氮化硅。它們是通過電氣性能調(diào)整等一系列過程獲得的電氣元件。功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用，...
在電子元器件中，功率半導(dǎo)體主要用作開關(guān)和整流器。它們也是半導(dǎo)體材料，如硅、砷化鎵和氮化硅。它們是通過電氣性能調(diào)整等一系列過程獲得的電氣元件。功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用，從幾十毫瓦的耳機(jī)放大系統(tǒng)到千兆瓦的高壓直流傳輸;從儲(chǔ)能、家電，到it產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)通信，只要涉及到電力領(lǐng)域，它就存在。
功率半導(dǎo)體器件的分類
從開發(fā)過程中,功率半導(dǎo)體器件經(jīng)歷:傳統(tǒng)的晶閘管,盛行于1960年代和1970年代,功率MOSFET及其相關(guān)設(shè)備在過去的二十年里,開發(fā)和高功率半導(dǎo)體器件由前兩個(gè)類型的設(shè)備,分別代表電力半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展過程的不同時(shí)期。
一般來說，功率半導(dǎo)體器件分為三類:功率模塊、功率集成電路和分立器件。其中，功率模塊為多個(gè)離散功率半導(dǎo)體器件的模塊化封裝;電源IC集成了離散電源半導(dǎo)體器件和驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)控等外圍電路;而分立功率半導(dǎo)體器件是功率模塊和功率集成電路的關(guān)鍵。
功率半導(dǎo)體器件按電路信號(hào)可控程度可分為全控制型、半控制型和不可控型;根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)的性質(zhì)也可分為電壓驅(qū)動(dòng)型和電流驅(qū)動(dòng)型。
常用的功率半導(dǎo)體器件有功率二極管、可控硅(SCR)、GTO、GTR、BJT、MOSFET、IGBT、sit、BSIT、Sith和MCT等，其中包括晶閘管、IGCT、IEGT、IPEM、PEBB等。
不同的功率半導(dǎo)體器件具有不同的耐壓、電流容量、阻抗容量和體積尺寸等特性。根據(jù)不同領(lǐng)域的實(shí)際需要。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力半導(dǎo)體器件也在不斷演進(jìn)。自20世紀(jì)80年代以來，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐漸成為主流應(yīng)用類型。
市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
電力半導(dǎo)體制造商大多采用IDM模式。他們有完整的晶圓工廠、芯片制造商和包裝工廠。垂直整合優(yōu)勢(shì)明顯，成本和質(zhì)量控制能力強(qiáng)。歐美電力半導(dǎo)體廠商多為IDM機(jī)型，以產(chǎn)品為主。中國(guó)大陸的制造商大多也是IDM機(jī)型，主要產(chǎn)品為低端二極管和低壓MOSFET，實(shí)力較弱。中國(guó)臺(tái)灣主要是無廠模式，主要負(fù)責(zé)芯片制造和封裝。
從供應(yīng)方面來看，全球電力半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)地區(qū)集中在歐洲、美國(guó)和日本，占據(jù)了全球電力半導(dǎo)體的大部分市場(chǎng)份額。二是臺(tái)灣，目前占全球市場(chǎng)份額的10%。中國(guó)大陸主要采用二極管、低壓MOSFET、晶閘管等低端功率半導(dǎo)體。目前，它實(shí)力薄弱，占世界市場(chǎng)份額的10%。
從需求方面來看，中國(guó)是全球的電力半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)電力半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球市場(chǎng)的39%。由此看來，中國(guó)大陸的電源半導(dǎo)體供需矛盾嚴(yán)重，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)以低端產(chǎn)品為主，國(guó)內(nèi)電源替代缺口巨大。隨著新領(lǐng)域的應(yīng)用越來越多，歐美產(chǎn)品升級(jí)產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)將有很大的增長(zhǎng)空間。
